Основной контент книги Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
Tekst PDF
Maht 648 lehekülgi
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
autor
Vinod Khanna Kumar
€207,08
Raamatust
A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
Žanrid ja sildid
Logi sisse, et hinnata raamatut ja jätta arvustus
Raamat «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design» — loe veebis. Jäta kommentaare ja arvustusi, hääleta lemmikute poolt.
Vanusepiirang:
0+Ilmumiskuupäev Litres'is:
20 august 2019Objętość:
648 lk ISBN:
9780471660996Üldsuurus:
33 МБLehekülgede koguarv:
648Õiguste omanik:
John Wiley & Sons Limited
