Читайте только на Литрес

Raamatut ei saa failina alla laadida, kuid seda saab lugeda meie rakenduses või veebis.

Основной контент книги Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5

Maht 79 lehekülgi

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5

autorid

Читайте только на Литрес

Raamatut ei saa failina alla laadida, kuid seda saab lugeda meie rakenduses või veebis.

€1,20

Raamatust

В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.

Žanrid ja sildid

Õpikud ja õppematerjalid ülikoolidele

Logi sisse, et hinnata raamatut ja jätta arvustus

Raamat Юрия Ракова, Вячеслава Данилова «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» — loe veebis. Jäta kommentaare ja arvustusi, hääleta lemmikute poolt.

Vanusepiirang:

Ilmumiskuupäev Litres'is:

24 aprill 2018

Objętość:

79 lk

ISBN:

978-5-7782-1618-1

Üldsuurus:

2.2 МБ

Lehekülgede koguarv:

Õiguste omanik:

Новосибирский государственный технический университет